SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | ວິໄຊ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | P-ຊ່ອງ |
| ຈຳນວນຊ່ອງ: | 1 ຊ່ອງ |
| Vds - ແຮງດັນແຍກແຫຼ່ງທໍ່: | 60 ວ |
| ໄອດີ - ກະແສລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ: | 50 ກ |
| Rds ເປີດ - ຄວາມຕ້ານທານຂອງ Drain-Source: | 60 ມມ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 ວ |
| Qg - ຄ່າບໍລິການປະຕູ: | 40 nC |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 55 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 150 ອົງສາ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 113 ວ |
| ໂໝດຊ່ອງ: | ການປັບປຸງ |
| ຊື່ການຄ້າ: | TrenchFET |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | Vishay Semiconductors |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | ໂສດ |
| ເວລາຕົກ: | 30 ນ |
| ການສົ່ງຕໍ່ - ຂັ້ນຕ່ຳ: | 22 ສ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ: | 9 ນ |
| ຊຸດ: | SUD |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 2000 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | MOSFETs |
| ປະເພດ Transistor: | 1 P-Channel |
| ເວລາປິດ-ປິດປົກກະຕິ: | 65 ນ |
| ເວລາຊັກຊ້າເປີດປົກກະຕິ: | 8 ນ |
| ສ່ວນ # ນາມແຝງ: | SUD19P06-60-BE3 |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.011640 ອໍ |
• Halogen-free ອີງຕາມ IEC 61249-2-21 ຄໍານິຍາມ
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% ທົດສອບ UIS
• ປະຕິບັດຕາມຄຳສັ່ງ RoHS 2002/95/EC
• High Side Switch ສໍາລັບ Full Bridge Converter
• DC/DC Converter ສໍາລັບຈໍ LCD
