L6388ED013TR Gate Drivers High Volt High Low Drivers
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | STMicroelectronics |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ຄົນຂັບລົດປະຕູ |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ຜະລິດຕະພັນ: | ຄົນຂັບລົດເຄິ່ງຂົວ |
| ປະເພດ: | ດ້ານສູງ, ຂ້າງລຸ່ມ |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | SOIC-8 |
| ຈຳນວນຄົນຂັບ: | 2 ຄົນຂັບລົດ |
| ຈໍານວນຜົນໄດ້ຮັບ: | 1 ຜົນຜະລິດ |
| ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດ: | 650 mA |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ຕ່ຳສຸດ: | - 300 mV |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ສູງສຸດ: | 17 ວ |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ: | 70 ນ |
| ເວລາຕົກ: | 40 ນ |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 45 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 125 ອົງສາ |
| ຊຸດ: | L6388E |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | STMicroelectronics |
| ປະເພດເຫດຜົນ: | CMOS, TTL |
| ການປະຕິບັດການສະຫນອງປະຈຸບັນ: | 450 UA |
| ແຮງດັນການສະຫນອງປະຕິບັດງານ: | 15 ວ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 750 mW |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ຄົນຂັບລົດປະຕູ |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 2500 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | PMIC - ICs ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານ |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.019048 ອໍ |
♠ແຮງດັນສູງແຮງດັນສູງແລະຕ່ໍາຂ້າງຄຽງ
L6388E ເປັນຜູ້ຂັບຂີ່ປະຕູແຮງດັນສູງ, ຜະລິດດ້ວຍເທກໂນໂລຍີ BCD ™ “ອອບໄລນ໌”, ແລະສາມາດຂັບໄດ້ເຄິ່ງຂົວຂອງອຸປະກອນ MOSFET/IGBT.ສ່ວນດ້ານຂ້າງສູງ (ລອຍຕົວ) ໄດ້ຖືກເປີດໃຊ້ງານເພື່ອເຮັດວຽກກັບລົດໄຟແຮງດັນສູງເຖິງ 600 V. ທັງສອງອຸປະກອນສາມາດຫລົ້ມຈົມແລະແຫຼ່ງ 650 mA ແລະ 400 mA ຕາມລໍາດັບແລະບໍ່ສາມາດຂັບເຄື່ອນໄດ້ພ້ອມໆກັນຍ້ອນການທໍາງານຂອງ interlocking ປະສົມປະສານ. ການປ້ອງກັນຈາກຜົນຜະລິດ. ການດໍາເນີນການຂ້າມແມ່ນຮັບປະກັນໂດຍຟັງຊັນເວລາຕາຍ.
ອຸປະກອນ L6388E ມີສອງ input ແລະສອງ pins ຜົນຜະລິດ, ແລະຮັບປະກັນການສະຫຼັບຜົນໄດ້ຮັບໃນໄລຍະທີ່ມີ inputs.ການປ້ອນຂໍ້ມູນຕາມເຫດຜົນແມ່ນເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ CMOS/TTL (3.3 V, 5 V ແລະ 15 V) ເພື່ອຄວາມສະດວກໃນການໂຕ້ຕອບກັບອຸປະກອນຄວບຄຸມ.
diode bootstrap ແມ່ນປະສົມປະສານຢູ່ໃນໄດເວີເພື່ອໃຫ້ການແກ້ໄຂທີ່ຫນາແຫນ້ນແລະເຊື່ອຖືໄດ້.
ອຸປະກອນ L6388E ມີລັກສະນະປ້ອງກັນ UVLO ໃນທັງສອງແຮງດັນໄຟຟ້າ (VCC ແລະ VBOOT) ຮັບປະກັນການປົກປ້ອງທີ່ສູງຂຶ້ນຕໍ່ກັບແຮງດັນຫຼຸດລົງໃນສາຍການສະຫນອງ.
ອຸປະກອນແມ່ນມີຢູ່ໃນທໍ່ DIP-8 ແລະທໍ່ SO-8, ແລະທາງເລືອກໃນການຫຸ້ມຫໍ່ tape ແລະ reel.
·ລົດໄຟແຮງດັນສູງເຖິງ 600 V
·ພູມຕ້ານທານ dV/dt ± 50 V/nsec ໃນຂອບເຂດອຸນຫະພູມເຕັມ
·ຄວາມສາມາດປະຈຸບັນຂອງ Driver:
– ແຫຼ່ງ 400 mA
– ອ່າງເກັບນ້ຳ 650 mA
·ເວລາສະຫຼັບ 70/40 nsec ເພີ່ມຂຶ້ນ / ຫຼຸດລົງທີ່ມີ 1 nF ໂຫຼດ
·ຕົວປຽບທຽບການປ້ອນຂໍ້ມູນ 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL ກັບ hysteresis ແລະດຶງລົງ
·diode bootstrap ພາຍໃນ
·ຜົນຜະລິດໃນໄລຍະທີ່ມີວັດສະດຸປ້ອນ
·Deadtime ແລະຟັງຊັນ interlocking
·ເຄື່ອງໃຊ້ໃນເຮືອນ
·ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອຸດສາຫະກໍາແລະໄດ
·ຄົນຂັບລົດຈັກ
- ມໍເຕີ DC, AC, PMDC ແລະ PMAC
·ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ induction
·HVAC
·ອັດຕະໂນມັດໂຮງງານ
·ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຮັດໃຫ້ມີແສງ
·ລະບົບການສະຫນອງພະລັງງານ
