IKW50N65EH5XKSA1 IGBT Transistors ອຸດສາຫະກໍາ 14
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | ອິນຟິເນນ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | IGBT Transistors |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | TO-247-3 |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | ຜ່ານຂຸມ |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | ໂສດ |
| ຕົວເກັບກຳ- ປ່ອຍແຮງດັນ VCEO Max: | 650 ວ |
| ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຂອງຕົວສະສົມ-Emitter: | 1.65 ວ |
| ແຮງດັນໄຟຟ້າປະຕູສູງສຸດ: | 20 ວ |
| ກະແສສະສົມຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຢູ່ທີ່ 25 C: | 80 ກ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 275 ວ |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 40 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 175 ອົງສາ |
| ຊຸດ: | Trenchstop IGBT5 |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ທໍ່ |
| ຍີ່ຫໍ້: | ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 ນາ |
| ຄວາມສູງ: | 20.7 ມມ |
| ຄວາມຍາວ: | 15.87 ມມ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | IGBT Transistors |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 240 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | IGBTs |
| ຊື່ການຄ້າ: | TRENCHSTOP |
| ກວ້າງ: | 5.31 ມມ |
| ສ່ວນ # ນາມແຝງ: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.213383 ອໍ |
ການສະເຫນີເຕັກໂນໂລຊີຄວາມໄວສູງ
•ປະສິດທິພາບທີ່ດີທີ່ສຸດໃນການຈັດປະເພດ, ການສະຫຼັບແລະການປ່ຽນສຽງດັງ
• Plugandplayment ຂອງລຸ້ນກ່ອນ IGBTs
• 650V breakdownvoltage
• LowgatechargeQG
•IGBTcopackedwithfull-ratedRAPID1fastand softantiparallel diode
• ອຸນຫະພູມສູງສຸດ 175°C
•ມີຄຸນສົມບັດຕາມການ JEDEC ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເປົ້າຫມາຍ
•Pb-freeleadplating;ຕາມມາດຕະຖານ RoHS
•Product SpecrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•ອຸປະກອນທີ່ບໍ່ສາມາດລົບກວນໄດ້
•ຕົວແປງແສງອາທິດ
•ຕົວແປງການເຊື່ອມ
•Midtohighranges switchingfrequency converters
