VND5050JTR-E Power Switch ICs – ການກະຈາຍພະລັງງານ Double Ch Hi Side Driver auto
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | STMicroelectronics |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | Power Switch ICs - ການກະຈາຍພະລັງງານ |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ປະເພດ: | ດ້ານສູງ |
| ຈໍານວນຜົນໄດ້ຮັບ: | 2 ຜົນຜະລິດ |
| ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດ: | 18 ກ |
| ຈຳກັດປັດຈຸບັນ: | 18 ກ |
| ໃນຄວາມຕ້ານທານ - ສູງສຸດ: | 50 ມມ |
| ຕາມເວລາ - ສູງສຸດ: | 20 ພວກເຮົາ |
| ເວລານອກ - ສູງສຸດ: | 40 ພວກເຮົາ |
| ແຮງດັນການສະຫນອງປະຕິບັດງານ: | 4.5 V ຫາ 36 V |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 40 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 150 ອົງສາ |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | PowerSSO-12 |
| ຊຸດ: | VND5050J-E |
| ຄຸນສົມບັດ: | AEC-Q100 |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | STMicroelectronics |
| ຄວາມອ່ອນໄຫວດ້ານຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ: | ແມ່ນແລ້ວ |
| ຜະລິດຕະພັນ: | ໂຫຼດສະວິດ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | Power Switch ICs - ການກະຈາຍພະລັງງານ |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 2500 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | ສະຫຼັບ ICs |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ສູງສຸດ: | 36 ວ |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ຕ່ຳສຸດ: | 4.5 ວ |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.005291 ອໍ |
♠ double channel ສູງ side driver ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລົດຍົນ
VND5050K-E ແລະ VND5050J-E ແມ່ນອຸປະກອນ monolithic ທີ່ຜະລິດໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີ STMicroelectronics VIPower M0-5.ພວກມັນມີຈຸດປະສົງເພື່ອຂັບລົດການໂຫຼດຕ້ານທານຫຼື inductive ດ້ວຍດ້ານຫນຶ່ງທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບຫນ້າດິນ.ຕົວຍຶດແຮງດັນ VCC pin ທີ່ໃຊ້ໄດ້ປົກປ້ອງອຸປະກອນຈາກແຮງດັນໄຟຟ້າຕໍ່າ (ເບິ່ງຕາຕະລາງຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຊົ່ວຄາວຂອງ ISO7637).ອຸປະກອນກວດພົບສະພາບການໂຫຼດເປີດທັງໃນແລະນອກສະຖານະການ, ໃນເວລາທີ່ STAT_DIS ຖືກປະໄວ້ເປີດຫຼືຂັບລົດຕໍາ່.ຜົນຜະລິດທີ່ສັ້ນລົງເປັນ VCC ຖືກກວດພົບຢູ່ໃນລັດນອກ.
ເມື່ອ STAT_DIS ຖືກຂັບເຄື່ອນສູງ, PIN STATUS ຢູ່ໃນສະຖານະ impedance ສູງ.
ຂໍ້ຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນຂອງຜົນຜະລິດປົກປ້ອງອຸປະກອນໃນສະພາບ overload.ໃນກໍລະນີທີ່ມີໄລຍະເວລາ overload ເປັນເວລາດົນນານ, ອຸປະກອນຈໍາກັດການ dissipated ພະລັງງານໃນລະດັບທີ່ປອດໄພເຖິງການແຊກແຊງການປິດດ້ວຍຄວາມຮ້ອນ.ການປິດດ້ວຍຄວາມຮ້ອນດ້ວຍການປິດເປີດໃໝ່ອັດຕະໂນມັດເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນສາມາດຟື້ນຕົວການເຮັດວຽກປົກກະຕິໄດ້ທັນທີທີ່ສະພາບຄວາມຜິດຫາຍໄປ.
■ ຫຼັກ
- Inrush ການຄຸ້ມຄອງການເຄື່ອນໄຫວໃນປະຈຸບັນໂດຍການຈໍາກັດພະລັງງານ
- ກະແສສະແຕນບາຍຕໍ່າຫຼາຍ
– 3.0 V CMOS ເຂົ້າກັນໄດ້
- ການປ່ອຍອາຍພິດແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າທີ່ດີທີ່ສຸດ
- ຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ແມ່ເຫຼັກໄຟຟ້າຕໍ່າຫຼາຍ
- ປະຕິບັດຕາມຄໍາສັ່ງຂອງເອີຣົບ 2002/95/EC
■ຟັງຊັນວິນິດໄສ
- ເປີດຜົນຜະລິດສະຖານະການລະບາຍນໍ້າ
- ການກວດສອບການໂຫຼດໃນລັດເປີດ
- ການກວດພົບການໂຫຼດນອກລັດເປີດ
- ຕົວຊີ້ບອກການປິດຄວາມຮ້ອນ
■ ການປົກປ້ອງ
- ການປິດ undervoltage
- ຍຶດແຮງດັນເກີນ
- ຜົນຜະລິດຕິດກັບການກວດສອບ VCC
- ໂຫຼດຂໍ້ຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນ
- ການຈໍາກັດຕົນເອງຂອງ transients ຄວາມຮ້ອນໄວ
- ການປົກປ້ອງການສູນເສຍພື້ນທີ່ແລະການສູນເສຍ VCC
- ການປິດຄວາມຮ້ອນ
- ການປົກປັກຮັກສາຫມໍ້ໄຟກັບຄືນໄປບ່ອນ
- ການປົກປັກຮັກສາການໄຫຼ electrostatic
■ທຸກປະເພດຂອງການໂຫຼດ resistive, inductive ແລະ capacitive
