TEA19162T/2 ການແກ້ໄຂປັດໄຈພະລັງງານ – PFC TEA19162T/SO8//2/REEL 13 Q1/T1 *ມາດຕະຖານມາດຕະຖານ SMD
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | NXP |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ການແກ້ໄຂປັດໄຈພະລັງງານ - PFC |
| ຍີ່ຫໍ້: | NXP Semiconductors |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | PFC - ການແກ້ໄຂປັດໄຈພະລັງງານ |
| ຊຸດ: | TEA19162 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | PMIC - ICs ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານ |
♠ DRV8876 H-Bridge Motor Driver ກັບຄວາມຮູ້ສຶກປະຈຸບັນປະສົມປະສານແລະລະບຽບການ
TEA19162T ແລະ TEA19161T ແມ່ນຕົວຄວບຄຸມລວມ (ຄອມໂບ) ICs ສໍາລັບ topologies resonant ລວມທັງ PFC. ພວກເຂົາເຈົ້າສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງໃນທຸກລະດັບພະລັງງານ. ຮ່ວມກັນກັບ TEA1995T dual LLC resonant controller SR, ການສະຫນອງພະລັງງານ resonant ທີ່ມີລາຄາຖືກສາມາດສ້າງໄດ້. ການສະຫນອງພະລັງງານນີ້ຕອບສະຫນອງກົດລະບຽບປະສິດທິພາບຂອງ Energy Star, ກົມພະລັງງານ (DoE), ຄໍາສັ່ງອອກແບບນິເວດຂອງສະຫະພາບເອີຣົບ, ກົດລະບຽບການປະພຶດຂອງເອີຣົບ, ແລະຄໍາແນະນໍາອື່ນໆ.
TEA19162T ແມ່ນຕົວຄວບຄຸມການແກ້ໄຂປັດໄຈພະລັງງານ (PFC). IC ຕິດຕໍ່ສື່ສານກັບ TEA19161T ກ່ຽວກັບລໍາດັບການເລີ່ມຕົ້ນແລະການປົກປ້ອງ. ມັນຍັງເຮັດໃຫ້ກົນໄກການຕັ້ງແທັບໄວ. ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງລະບົບໂດຍລວມໃຫ້ສູງສຸດ, TEA19161T ອະນຸຍາດໃຫ້ຕັ້ງ TEA19161T PFC ໃຫ້ເປັນໂໝດລະເບີດໃນລະດັບພະລັງງານຜົນຜະລິດຕໍ່າ.
ການນໍາໃຊ້ TEA19161T ແລະ TEA19162T combo ຮ່ວມກັນກັບ TEA1995T ຮອງ TEA1995T ຕົວຄວບຄຸມ rectifier synchronous, ການສະຫນອງພະລັງງານທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ສາມາດອອກແບບດ້ວຍອົງປະກອບພາຍນອກຢ່າງຫນ້ອຍ. ພະລັງງານຜົນຜະລິດເປົ້າຫມາຍແມ່ນລະຫວ່າງ 90 W ແລະ 500 W.
ລະບົບສະຫນອງພະລັງງານທີ່ບໍ່ມີການໂຫຼດຕ່ໍາຫຼາຍ (< 75 mW; ລະບົບທັງຫມົດລວມທັງ TEA19161T / TEA19162T combo ແລະ theTEA1995T) ແລະປະສິດທິພາບສູງຈາກຕໍາ່ສຸດທີ່ການໂຫຼດສູງສຸດ. ດັ່ງນັ້ນ, ບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີການສະຫນອງພະລັງງານຕ່ໍາເພີ່ມເຕີມ.
1. ລັກສະນະທີ່ໂດດເດັ່ນ
• ການທໍາງານສໍາເລັດເປັນ TEA19161T/TEA19162T combo
• ປະສົມປະສານ X-capacitor discharge ໂດຍບໍ່ມີອົງປະກອບພາຍນອກເພີ່ມເຕີມ
• ການດໍາເນີນງານການສະຫນອງຕົ້ນຕໍ Universal (70 V (AC) ຫາ 276 V (AC))
•ປະສົມປະສານການເລີ່ມຕົ້ນອ່ອນແລະການຢຸດອ່ອນ
• ກົດລະບຽບການເພີ່ມແຮງດັນທີ່ຖືກຕ້ອງ
2. ລັກສະນະສີຂຽວ
• ການສະຫຼັບແຮງດັນຂອງຮ່ອມ/ສູນສຳລັບການສູນເສຍການສະຫຼັບຂັ້ນຕ່ຳ
•ຈໍາກັດຄວາມຖີ່ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການສະຫຼັບ
• ຫຼຸດກະແສການສະໜອງ (200 µA) ເມື່ອຢູ່ໃນໂໝດລະເບີດ
3. ລັກສະນະການປົກປ້ອງ
• ໂໝດປິດເປີດໃໝ່ທີ່ປອດໄພສຳລັບສະພາບຄວາມຜິດຂອງລະບົບ
• ການປ້ອງກັນໂໝດຕໍ່ເນື່ອງດ້ວຍການກວດຫາ demagnetization
• ການປ້ອງກັນແຮງດັນເກີນຄວາມຖືກຕ້ອງ (OVP)
• Open-Loop Protection (OLP)
• ການປົກປ້ອງວົງຈອນສັ້ນ (SCP)
• ພາຍໃນ ແລະພາຍນອກ IC OverTemperature Protection (OTP)
• ລະດັບການເດີນທາງຂອງ OverCurrent Protection (OCP) ຕໍ່າ ແລະສາມາດປັບໄດ້
• ປ້ອງກັນສີນ້ຳຕານ/ສີນ້ຳຕານແບບປັບໄດ້
• Supply UnderVoltage Protection (UVP)
•ຄອມພິວເຕີຕັ້ງໂຕະ ແລະເຄື່ອງຄອມພິວເຕີທັງໝົດໃນໜຶ່ງດຽວ
• ໂທລະພາບ LCD
• ອະແດບເຕີໂນ໊ດບຸ໊ກ
•ເຄື່ອງພິມ
• ອຸປະກອນເສີມເຄື່ອງຫຼີ້ນເກມ
