NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | onsemi |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | SO-8FL-4 |
| Transistor Polarity: | N-ຊ່ອງ |
| ຈຳນວນຊ່ອງ: | 1 ຊ່ອງ |
| Vds - ແຮງດັນແຍກແຫຼ່ງທໍ່: | 30 ວ |
| ໄອດີ - ກະແສລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ: | 46 ກ |
| Rds ເປີດ - ຄວາມຕ້ານທານຂອງ Drain-Source: | 4.9 ມມ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 ວ |
| Qg - ຄ່າບໍລິການປະຕູ: | 18.6 ນ.C |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 55 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 150 ອົງສາ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 23.6 ວ |
| ໂໝດຊ່ອງ: | ການປັບປຸງ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | onsemi |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | ໂສດ |
| ເວລາຕົກ: | 7 ນ |
| ການສົ່ງຕໍ່ - ຂັ້ນຕ່ຳ: | 43 ສ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ: | 34 ນ |
| ຊຸດ: | NTMFS4C029N |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 1500 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | MOSFETs |
| ປະເພດ Transistor: | 1 N-Channel |
| ເວລາປິດ-ປິດປົກກະຕິ: | 14 ນ |
| ເວລາຊັກຊ້າເປີດປົກກະຕິ: | 9 ນ |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.026455 ອໍ |
• RDS ຕ່ໍາ (ເປີດ) ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການນໍາ
• ຄວາມອາດສາມາດຕໍ່າເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍຄົນຂັບ
• ປັບຄ່າປະຕູໃຫ້ເໝາະສົມເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການສະຫຼັບ
• ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນ Pb-Free, Halogen Free/BFR ຟຣີ ແລະເປັນໄປຕາມ RoHS
• ການຈັດສົ່ງພະລັງງານ CPU
• DC-DC Converters
