TPS51200QDRCRQ1 IC ພິເສດການຈັດການພະລັງງານໃໝ່ ແລະຕົ້ນສະບັບ
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | Texas Instruments |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານພິເສດ - PMIC |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ຊຸດ: | TPS51200-Q1 |
| ປະເພດ: | ຍານຍົນ |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | VSON-10 |
| ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດ: | 600 mA |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 40 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 125 ອົງສາ |
| ຄຸນສົມບັດ: | AEC-Q100 |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | Texas Instruments |
| ຄວາມອ່ອນໄຫວດ້ານຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ: | ແມ່ນແລ້ວ |
| ການປະຕິບັດການສະຫນອງປະຈຸບັນ: | 700 UA |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 0.79 ວ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານພິເສດ - PMIC |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 3000 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | PMIC - ICs ການຄຸ້ມຄອງພະລັງງານ |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.001386 ອໍ |
♠TPS51200-Q1 Sink ແລະ Source DDR Termination Regulator
ອຸປະກອນ TPS51200-Q1 ແມ່ນເຄື່ອງຄວບຄຸມການຢຸດການເກັບຂໍ້ມູນສອງເທົ່າ ແລະແຫຼ່ງທີ່ມາ (DDR) ທີ່ຖືກອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບແຮງດັນຂາເຂົ້າຕ່ໍາ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ, ລະບົບສຽງຕ່ໍາທີ່ຊ່ອງຫວ່າງເປັນການພິຈາລະນາທີ່ສໍາຄັນ.ອຸປະກອນ TPS51200-Q1 ຮັກສາການຕອບສະຫນອງຊົ່ວຄາວໄວແລະພຽງແຕ່ຕ້ອງການຄວາມອາດສາມາດຜົນຜະລິດຕໍາ່ສຸດທີ່ 20 μF.ອຸປະກອນ TPS51200-Q1 ສະຫນັບສະຫນູນຟັງຊັນການຮັບຮູ້ທາງໄກແລະຄວາມຕ້ອງການພະລັງງານທັງຫມົດສໍາລັບການຢຸດລົດເມ DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, ພະລັງງານຕ່ໍາ DDR3 ແລະ DDR4 VTT.
ນອກຈາກນັ້ນ, ອຸປະກອນ TPS51200-Q1 ສະຫນອງສັນຍານ PGOOD ເປີດ-drain ເພື່ອຕິດຕາມລະບຽບການຜົນຜະລິດແລະສັນຍານ EN ທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ເພື່ອປ່ອຍ VTT ໃນໄລຍະ S3 (ໂຈະກັບ RAM) ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ DDR.
ອຸປະກອນ TPS51200-Q1 ແມ່ນມີຢູ່ໃນຊຸດ VSON-10 ທີ່ມີປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນ, ແລະຖືກຈັດອັນດັບ
ທັງສີຂຽວແລະບໍ່ມີ Pb.ອຸປະກອນແມ່ນໄດ້ລະບຸໄວ້ຈາກ -40°C ກັບ 125°C.
• ມີຄຸນສົມບັດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລົດຍົນ
• ການແນະນຳການທົດສອບ AEC-Q100 ດ້ວຍຜົນໄດ້ຮັບຕໍ່ໄປນີ້:
– ອຸນຫະພູມອຸປະກອນ Grade 1: –40°C to 125°C ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການລ້ອມຮອບ
– ອຸປະກອນ HBM ESD ລະດັບ 2
– ອຸປະກອນ CDM ESD ລະດັບ C4B
• ແຮງດັນຂາເຂົ້າ: ຮອງຮັບ 2.5-V Rail ແລະ 3.3-V Rail
• ຊ່ວງແຮງດັນ VLDOIN: 1.1 V ຫາ 3.5 V
• ຕົວຄວບຄຸມການຢຸດເຊົາການຈົມ/ແຫຼ່ງລວມເຖິງການຊົດເຊີຍ Droop
• ຕ້ອງການຄວາມອາດສາມາດຜົນຜະລິດຕໍ່າສຸດຂອງ 20-μF (ປົກກະຕິ 3 × 10-μF MLCCs) ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການຢຸດຄວາມຈໍາ (DDR)
• PGOOD ເພື່ອຕິດຕາມກວດກາລະບຽບການຜົນຜະລິດ
• EN ປ້ອນຂໍ້ມູນ
• ການປ້ອນຂໍ້ມູນ REFIN ອະນຸຍາດໃຫ້ຕິດຕາມການປ້ອນຂໍ້ມູນແບບຍືດຫຍຸ່ນໄດ້ໂດຍກົງ ຫຼືຜ່ານຕົວແຍກຕົວຕ້ານທານ
• ການຮັບຮູ້ທາງໄກ (VOSNS)
• ±10-mA Buffed Reference (REFOUT)
• Built-in Soft Start, UVLO ແລະ OCL
• ການປິດຄວາມຮ້ອນ
• ຕອບສະໜອງໄດ້ DDR, DDR2 JEDEC Specifications;ຮອງຮັບ DDR3, DDR3L, Low-Power DDR3 ແລະ DDR4 VTT Applications
• ແພັກເກັດ VSON-10 ດ້ວຍແຜ່ນຄວາມຮ້ອນທີ່ເປີດເຜີຍ
• ຕົວຄວບຄຸມການປິດຄວາມຈຳສຳລັບ DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, ພະລັງງານຕ່ຳ DDR3 ແລະ DDR4
• Notebook, Desktop, Server
• ໂທລະຄົມ ແລະ Datacom, GSM Base Station, LCDTV ແລະ PDP-TV, ເຄື່ອງສຳເນົາ ແລະເຄື່ອງພິມ, Set-Top Box
