MMBT3904TT1G ເທນສະເຕີ Bipolar – BJT 200mA 40V NPN
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | onsemi |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ເທນສະເຕີ Bipolar - BJT |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | SC-75-3 |
| Transistor Polarity: | NPN |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | ໂສດ |
| ຕົວເກັບກຳ- ປ່ອຍແຮງດັນ VCEO Max: | 40 ວ |
| ຕົວເກັບກຳ-ແຮງດັນພື້ນຖານ VCBO: | 60 ວ |
| Emitter- ແຮງດັນພື້ນຖານ VEBO: | 6 ວ |
| ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຂອງຕົວສະສົມ-Emitter: | 300 mV |
| ປະຈຸບັນຕົວເກັບກຳ DC ສູງສຸດ: | 200 mA |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 225 mW |
| ໄດ້ຮັບແບນວິດຜະລິດຕະພັນ fT: | 300 MHz |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 55 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 150 ອົງສາ |
| ຊຸດ: | MMBT3904T |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | onsemi |
| ປະຈຸບັນຕົວເກັບກຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ: | 0.2 ກ |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 |
| ຄວາມສູງ: | 0.75 ມມ |
| ຄວາມຍາວ: | 1.6 ມມ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | BJTs - ເທນສະເຕີ Bipolar |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 3000 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | Transistors |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ກວ້າງ: | 0.8 ມມ |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.000089 ອໍ |
• S ຄໍານໍາຫນ້າສໍາລັບຍານຍົນແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກອື່ນໆທີ່ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີສະຖານທີ່ເປັນເອກະລັກແລະການຄວບຄຸມການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ອງການ;AEC-Q101 ມີຄຸນວຸດທິ ແລະ PPAP ມີຄວາມສາມາດ
• ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນ Pb-Free, Halogen Free/BFR ຟຣີ ແລະເປັນໄປຕາມ RoHS*
