IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | ອິນຟິເນນ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| RoHS: | ລາຍລະອຽດ |
| ເຕັກໂນໂລຊີ: | Si |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | N-ຊ່ອງ |
| ຈຳນວນຊ່ອງ: | 1 ຊ່ອງ |
| Vds - ແຮງດັນແຍກແຫຼ່ງທໍ່: | 40 ວ |
| ໄອດີ - ກະແສລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ: | 50 ກ |
| Rds ເປີດ - ຄວາມຕ້ານທານຂອງ Drain-Source: | 9.3 ມມ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 ວ |
| Qg - ຄ່າບໍລິການປະຕູ: | 18.2 ນ.C |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 55 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 175 ອົງສາ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 41 ວ |
| ໂໝດຊ່ອງ: | ການປັບປຸງ |
| ຄຸນສົມບັດ: | AEC-Q101 |
| ຊື່ການຄ້າ: | OptiMOS |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ຍີ່ຫໍ້: | ເຕັກໂນໂລຍີ Infineon |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | ໂສດ |
| ເວລາຕົກ: | 5 ນ |
| ຄວາມສູງ: | 2.3 ມມ |
| ຄວາມຍາວ: | 6.5 ມມ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | MOSFET |
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ: | 7 ນ |
| ຊຸດ: | OptiMOS-T2 |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 2500 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | MOSFETs |
| ປະເພດ Transistor: | 1 N-Channel |
| ເວລາປິດ-ປິດປົກກະຕິ: | 4 ນ |
| ເວລາຊັກຊ້າເປີດປົກກະຕິ: | 5 ນ |
| ກວ້າງ: | 6.22 ມມ |
| ສ່ວນ # ນາມແຝງ: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 330 ມກ |
• N-channel – ຮູບແບບການປັບປຸງ
• AEC ມີຄຸນວຸດທິ
• MSL1 ສູງເຖິງ 260 ອົງສາ C reflow ສູງສຸດ
• ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ 175°C
• ຜະລິດຕະພັນສີຂຽວ (ປະຕິບັດຕາມ RoHS)
• 100% Avalanche ທົດສອບ
