DG419DY-T1-E3 ສະວິດອະນາລັອກ ICs Single SPDT 22/25V
♠ ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ
| ຄຸນລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ | ຄ່າຄຸນສົມບັດ |
| ຜູ້ຜະລິດ: | ວິໄຊ |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ICs ສະຫຼັບອະນາລັອກ |
| ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ: | SMD/SMT |
| ຊຸດ/ກໍລະນີ: | SOIC-8 |
| ຈຳນວນຊ່ອງ: | 1 ຊ່ອງ |
| ການຕັ້ງຄ່າ: | 1 x SPDT |
| ໃນຄວາມຕ້ານທານ - ສູງສຸດ: | 35 ໂອມ |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ຕ່ຳສຸດ: | 13 ວ |
| ແຮງດັນການສະໜອງ - ສູງສຸດ: | 44 ວ |
| ແຮງດັນການສະໜອງສອງຂັ້ນຕໍ່າສຸດ: | +/- 15 V |
| ແຮງດັນການສະໜອງຄູ່ສູງສຸດ: | +/- 15 V |
| ຕາມເວລາ - ສູງສຸດ: | 175 ນ |
| ເວລານອກ - ສູງສຸດ: | 145 ນ |
| ອຸນຫະພູມປະຕິບັດຕໍາ່ສຸດທີ່: | - 40 ຄ |
| ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ: | + 85 ອົງສາ |
| ຊຸດ: | DG |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ມ້ວນ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | ຕັດເທບ |
| ການຫຸ້ມຫໍ່: | MouseReel |
| ຍີ່ຫໍ້: | Vishay / Siliconix |
| ຄວາມສູງ: | 1.55 ມມ |
| ຄວາມຍາວ: | 5 ມມ |
| Pd - ການກະຈາຍພະລັງງານ: | 400 mW |
| ປະເພດຜະລິດຕະພັນ: | ICs ສະຫຼັບອະນາລັອກ |
| ປະລິມານຊອງໂຮງງານ: | 2500 |
| ໝວດຍ່ອຍ: | ສະຫຼັບ ICs |
| ກະແສສະໜອງ - ສູງສຸດ: | 1 uA |
| ປະເພດການສະໜອງ: | ການສະຫນອງດຽວ, ການສະຫນອງຄູ່ |
| ສະຫຼັບກະແສຕໍ່ເນື່ອງ: | 30 mA |
| ກວ້າງ: | 4 ມມ |
| ສ່ວນ # ນາມແຝງ: | DG419DY-E3 |
| ນ້ຳໜັກໜ່ວຍ: | 0.019048 ອໍ |
♠ Precision CMOS ສະຫຼັບອະນາລັອກ
ສະວິດອະນາລັອກ DG417, DG418, DG419 monolithic CMOS ໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອສະຫນອງການສະຫຼັບປະສິດທິພາບສູງຂອງສັນຍານອະນາລັອກ.ການສົມທົບການພະລັງງານຕ່ໍາ, ການຮົ່ວໄຫຼຕ່ໍາ, ຄວາມໄວສູງ, ຕ້ານທານຕ່ໍາແລະຂະຫນາດທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂະຫນາດນ້ອຍ, ຊຸດ DG417 ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການເຄື່ອນທີ່ແລະຫມໍ້ໄຟທີ່ໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາແລະການທະຫານທີ່ຕ້ອງການປະສິດທິພາບສູງແລະການນໍາໃຊ້ພື້ນທີ່ກະດານທີ່ມີປະສິດທິພາບ.
ເພື່ອບັນລຸການຈັດອັນດັບແຮງດັນສູງແລະການປະຕິບັດການສະຫຼັບທີ່ດີກວ່າ, ຊຸດ DG417 ຖືກສ້າງຂຶ້ນໃນຂະບວນການປະຕູຊິລິໂຄນແຮງດັນສູງຂອງ Vishay Siliconix (HVSG).Break-beforemake ແມ່ນຮັບປະກັນສໍາລັບ DG419, ເຊິ່ງເປັນການຕັ້ງຄ່າ SPDT.ຊັ້ນ epitaxial ປ້ອງກັນ latchup.
ແຕ່ລະສະຫຼັບດໍາເນີນການໄດ້ດີເທົ່າທຽມກັນໃນທັງສອງທິດທາງໃນເວລາທີ່ເປີດ, ແລະຕັນເຖິງລະດັບການສະຫນອງພະລັງງານໃນເວລາທີ່ປິດ.
DG417 ແລະ DG418 ຕອບສະຫນອງຕໍ່ລະດັບເຫດຜົນການຄວບຄຸມທີ່ກົງກັນຂ້າມດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຕາຕະລາງຄວາມຈິງ.
• ± 15 V ຊ່ວງສັນຍານການປຽບທຽບ
• On-resistance – RDS(on): 20
• ການດຳເນີນການປ່ຽນໄວ – tON: 100 ns
• ຄວາມຕ້ອງການພະລັງງານຕໍ່າສຸດ – PD: 35 nW
• TTL ແລະ CMOS ເຂົ້າກັນໄດ້
• ການຫຸ້ມຫໍ່ MiniDIP ແລະ SOIC
• 44 V ການສະຫນອງສູງສຸດ.ຄະແນນ
• 44 V ການສະຫນອງສູງສຸດ.ຄະແນນ
• ປະຕິບັດຕາມຄໍາສັ່ງ RoHS 2002/95/EC
• ລະດັບໄດນາມິກກວ້າງ
•ຄວາມຜິດພາດສັນຍານຕ່ໍາແລະການບິດເບືອນ
• Break-for-make switching action
•ການໂຕ້ຕອບງ່າຍດາຍ
• ພື້ນທີ່ກະດານຫຼຸດລົງ
•ປັບປຸງຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື
•ອຸປະກອນການທົດສອບຄວາມແມ່ນຍໍາ
• ເຄື່ອງມືທີ່ຊັດເຈນ
• ລະບົບພະລັງງານຫມໍ້ໄຟ
• ວົງຈອນຕົວຢ່າງ ແລະຖື
•ວິທະຍຸທະຫານ
•ລະບົບການຊີ້ນໍາແລະການຄວບຄຸມ
•ຮາດດິດໄດ
